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[发明专利]一种多孔钪氮化铝单晶材料、其制备方法及应用-CN202110751387.4有效
发明人：陈晨龙;蔡文汉;叶宁;颜涛;王俪霖;李俊谕;孙姝婧 -专利权人：中国科学院福建物质结构研究所;闽都创新实验室
申请日： 2021-07-02 - 公布日： 2022-10-11 - 主分类号： C30B29/38 文献下载
摘要：本申请公开了一种多孔钪氮化铝单晶材料及其制备方法、应用，所述多孔钪氮化铝单晶材料是多孔钪氮化铝单晶薄膜和/或多孔钪氮化铝单晶晶体；所述多孔钪氮化铝单晶晶体和所述多孔钪氮化铝单晶薄膜的尺寸为0.1cm～15cm本发明是基于气相生长原理制备多孔钪氮化铝，通过调控制试验参数，获得低应力的无开裂的高质量多孔氮化铝体单晶。若以多孔钪氮化铝单晶作为钪氮化铝基器件的外延衬底，可以起到应力释放和减少位错的作用，比无孔钪氮化铝单晶衬底相比较，更具优势。该方法成本低,容易操作，易于重复。
一种多孔氮化铝单晶材料制备方法应用

[发明专利]一种氮化铝复合缓冲层及制备方法及氮化镓基半导体器件-CN201710175415.6有效
发明人：邢琨;梁华国;欧阳一鸣 -专利权人：合肥工业大学
申请日： 2017-03-22 - 公布日： 2023-05-05 - 主分类号： H01L33/32 文献下载
摘要：本发明涉及一种氮化铝复合缓冲层及制备方法及氮化镓基半导体器件，所述氮化铝复合缓冲层包括：高温氮化铝成核层、高温氮化铝多孔层和脉冲供应高温氮化铝层，所述高温氮化铝成核层镀在蓝宝石衬底上，所述高温氮化铝多孔层镀在高温氮化铝成核层上，所述脉冲供应高温氮化铝层镀在所述高温氮化铝多孔层上，高温氮化铝成核层的厚度为15nm，高温氮化铝多孔层的厚度为100nm，脉冲供应高温氮化铝层的厚度为80nm。本发明提供了一种新型复合氮化铝缓冲层，使得利用MOCVD方法制备高晶体质量的氮化镓材料，进而大幅提升LED的发光效率。
一种氮化复合缓冲制备方法半导体器件

[实用新型]一种氮化铝复合缓冲层及氮化镓基半导体器件-CN201720283425.7有效
发明人：邢琨;梁华国;欧阳一鸣 -专利权人：合肥工业大学
申请日： 2017-03-22 - 公布日： 2017-11-24 - 主分类号： H01L33/32 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种氮化铝复合缓冲层及氮化镓基半导体器件，所述氮化铝复合缓冲层包括高温氮化铝成核层、高温氮化铝多孔层和脉冲供应高温氮化铝层，所述高温氮化铝成核层镀在蓝宝石衬底上，所述高温氮化铝多孔层镀在高温氮化铝成核层上，所述脉冲供应高温氮化铝层镀在所述高温氮化铝多孔层上，高温氮化铝成核层的厚度为15nm，高温氮化铝多孔层的厚度为100nm，脉冲供应高温氮化铝层的厚度为80nm。本实用新型提供了一种新型复合氮化铝缓冲层，使得利用MOCVD方法制备高晶体质量的氮化镓材料，进而大幅提升LED的发光效率。
一种氮化复合缓冲半导体器件

[发明专利]一种氮化铝晶体生长用多孔氮化铝原料的制备方法-CN202110418044.6有效
发明人：不公告发明人 -专利权人：哈尔滨科友半导体产业装备与技术研究院有限公司
申请日： 2021-04-19 - 公布日： 2022-11-29 - 主分类号： C01B21/072 文献下载
摘要：本发明涉及一种氮化铝晶体生长用多孔氮化铝原料的制备方法，属于氮化铝晶体制备技术领域。为解决现有多孔氮化铝原料制备工艺复杂，成本高的问题，本发明提供了一种氮化铝晶体生长用多孔氮化铝原料的制备方法，包括配制浆料、球磨处理、冻干处理和烧结、酸洗处理步骤。本发明提供的多孔氮化铝制备方法工艺简单，对设备要求低、成本低，更适用于氮化铝晶体的工业化生产。本发明通过准确控制冻干温度使多孔孔径相对可控，制备得到的多孔氮化铝原料孔径小于30μm，这样的孔径不但利于气体上升，还能够对碳颗粒进行过滤，提高晶体质量。本发明制备过程中添加的粘接剂、分散剂能够在烧结过程中完全除去，保证了氮化铝原料的高纯度。
一种氮化晶体生长多孔原料制备方法

[发明专利]一种多孔高纯氮化铝原料的制备方法-CN202010743904.9在审
发明人：不公告发明人 -专利权人：哈尔滨化兴软控科技有限公司
申请日： 2020-07-29 - 公布日： 2020-10-30 - 主分类号： C01B21/072 文献下载
摘要：本发明涉及一种多孔高纯氮化铝原料的制备方法，属于氮化铝原料制备技术领域。为解决现有方法制备的氮化铝原料纯度低、多孔结构无法满足实际应用需求的问题，本发明提供了一种多孔高纯氮化铝原料的制备方法，以铝金属块和镁金属块为原料制备Mg‑Al合金块并研磨得到合金粉末，所得合金粉末置于真空状态及一定氮气压力下，经三步氮化处理、烧结、酸洗得到多孔高纯氮化铝晶体生长用原料。本发明以明显少于现有技术的氮化处理时间获得了纯度为99.99％、比表面积可达150m2/g、孔隙率为40～80％的多孔高纯氮化铝原料，以其为原料制备的高性能氮化铝晶体材料、多孔氮化铝陶瓷能够满足多孔半导体、多孔陶瓷材料在各领域的应用需求。
一种多孔高纯氮化原料制备方法

[发明专利]一种氮化镓的外延生长方法及氮化镓外延层的制备方法-CN202310422945.1在审
发明人：常娟雄;王一;杨林安;黄永;卢灏;陈兴;吴勇;王东;韩超;陈财;龚子刚;万坤;董栩婷;邵语嫣;陆俊;薛荣宇;何祺伟;解靖飞;王亦飞;张畅 -专利权人：西安电子科技大学芜湖研究院
申请日： 2023-04-14 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： C23C16/34 文献下载
摘要：本发明公开了一种氮化镓的外延生长方法及氮化镓外延层的制备方法，其中氮化镓的外延生长方法包括如下步骤：在衬底上生长多孔氧化铝掩膜层；多孔氧化铝掩膜层内的纳米孔贯穿多孔氧化铝掩膜层；在多孔氧化铝掩膜层内的纳米孔内生长氮化铝填充层；去除氧化铝掩膜层；在氮化铝填充层内以及氮化铝填充层上生长氮化镓缓冲层；在氮化镓缓冲层生长氮化镓外延层。本发明中的方法，将大量位错终止在氮化铝填充层与氮化镓缓冲层的界面处，提高生长于氮化镓缓冲层上的氮化镓外延层的质量。
一种氮化外延生长方法制备

[发明专利]一种缓解多孔氮化硅陶瓷与透明氧氮化铝陶瓷连接过程热应力的方法-CN201810117058.2有效
发明人：曾宇平;梁汉琴;左开慧;夏咏锋;姚冬旭;尹金伟 -专利权人：中国科学院上海硅酸盐研究所
申请日： 2018-02-06 - 公布日： 2020-12-11 - 主分类号： C04B37/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种缓解多孔氮化硅陶瓷与透明氧氮化铝陶瓷连接过程热应力的方法，采用多孔氧化铝陶瓷作为过渡层以缓解多孔氮化硅陶瓷与透明氧氮化铝陶瓷连接过程热应力，所述多孔氧化铝陶瓷的孔隙率为30～70%，优选为
一种缓解多孔氮化陶瓷透明连接过程应力方法

[发明专利]一种氮化铝晶体生长用多孔原料的制备方法-CN202011076856.9在审
发明人：不公告发明人 -专利权人：哈尔滨科友半导体产业装备与技术研究院有限公司
申请日： 2020-10-10 - 公布日： 2021-01-08 - 主分类号： C30B23/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种氮化铝晶体生长用多孔原料的制备方法，属于氮化铝晶体原料制备技术领域。为解决现有氮化铝原料较为致密，不利于原料挥发和晶体生长的问题，本发明提供了一种氮化铝晶体生长用多孔原料的制备方法，将经过抗水解预处理的氮化铝粉体加入海藻酸钠溶液中，经搅拌、球磨后得到混合浆料；所得混合浆料倒入模具中，将氯化钙溶液均匀喷涂到浆料表面，然后将浆料冷冻干燥、保护气体气氛下烧结，经酸洗、水洗、烘干得到多孔氮化铝原料。本发明操作简单，成本低，可制备出孔隙率为42～50％的多孔原料，有利于氮化铝的挥发，对氮化铝原料利用率高，对氮化铝晶体生长有积极影响。
一种氮化晶体生长多孔原料制备方法

[发明专利]一种多孔钨结构的晶体制备装置及氮化铝晶体制备方法-CN202111281070.5在审
发明人：武红磊;李文良;金雷;覃佐燕 -专利权人：深圳大学
申请日： 2021-11-01 - 公布日： 2022-01-28 - 主分类号： C30B29/40 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种多孔钨结构的晶体制备装置，包括：坩埚盖、坩埚、锥形台、隔气环和多孔钨圆筒；其中，所述多孔钨筒放置在所述坩埚内并与所述坩埚同心，所述多孔钨简的外壁与所述坩埚的内壁围成的空间用于放置氮化铝粉；所述隔气环置于所述多孔钨筒上，用于覆盖所述多孔钨筒的外壁与所述坩埚的内壁围成的空间；所述锥形台置于所述隔气环上，所述坩埚盖放置在所述坩埚上，并在所述锥形台上方粘贴氮化铝籽晶，以在加热状态下使氮化铝籽晶生长为氮化铝晶体通过对氮化铝晶体生长坩埚内部结构及材料的优化，实现了氮化铝原料升华速率稳定、蒸气输运方向为从籽晶中心向边缘的晶体生长条件，使氮化铝晶体具有更高的结晶质量。
一种多孔结构晶体制备装置氮化方法

[发明专利]一种基于气相生长原理制备多孔氮化铝的方法-CN201610589495.5在审
发明人：刘学超;王华杰;孔海宽;忻隽;高攀;施尔畏 -专利权人：中国科学院上海硅酸盐研究所
申请日： 2016-07-25 - 公布日： 2016-12-07 - 主分类号： C30B28/12 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于气相生长原理制备多孔氮化铝的方法，包括：采用物理气相输运法将氮化铝粉体与作为造孔剂的碳源高温加热成气相，再进行冷凝结晶，得到碳掺杂氮化铝多晶；将所得碳掺杂氮化铝多晶于空气气氛中，在700～900℃下加热除碳，得到所述多孔氮化铝。本发明利用氮化铝高温升华的特性，从气相生长角度出发，直接将氮化铝放入石墨坩埚中进行加热制备，成功将造孔剂碳掺入氮化铝晶体中，不需要任何添加剂。然后将碳掺入氮化铝晶体在空气气氛中加热除碳，利用氧气，将碳氧化成气相一氧化碳或二氧化碳除去，最终形成多孔结构。
一种基于相生原理制备多孔氮化方法

[发明专利]包含由氮化铝烧结体构成的部件和高熔点金属部件的接合体的制造方法-CN200780039758.4无效
发明人：金近幸博;东正信 -专利权人：株式会社德山
申请日： 2007-10-22 - 公布日： 2009-09-09 - 主分类号： C04B37/02 文献下载
摘要：本发明其特征在于，其为制造包含由氮化铝烧结体构成的部件和高熔点金属部件的接合体的方法，其中，该方法包括以下工序：工序(I)，在前述由氮化铝烧结体构成的部件的接合预定面上形成氮化铝的多孔质层；工序(II)，将含有氮化铝和高熔点金属的混合糊剂，于前述氮化铝的多孔质层和前述高熔点金属部件的接合预定面之间，以含浸于该多孔质层的状态夹设，并将该混合糊剂中的氮化铝和高熔点金属烧结。
包含氮化烧结构成部件熔点金属接合制造方法

[发明专利]一种多孔氮化铝复合衬底及其在外延生长高质量氮化镓薄膜中的应用-CN201510503005.0有效
发明人：罗伟科;李亮 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十五研究所
申请日： 2015-08-14 - 公布日： 2018-07-20 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种多孔氮化铝复合衬底，并进一步提出了基于该多孔氮化铝复合衬底外延生长高质量氮化镓薄膜的方法。本发明方法包括氮化铝复合衬底制备、多孔氮化铝复合衬底制备和氮化镓外延生长三个阶段，其中氮化铝外延生长和氮化镓外延生长在MOCVD系统中进行。本发明通过对氮化铝进行湿法腐蚀，在氮化铝表面形成大量凹陷的位错坑，位错坑起到微区掩膜的作用，氮化镓首先在没有位错坑的表面进行成核，成核逐渐变大，相互合并，最终形成平整的表面。本发明中利用氮化镓外延生长具有生长选择性的特点，在氮化铝表面实现选区生长，将大量的位错缺陷终止在氮化铝层与氮化镓层的界面处，有效的减少了氮化镓薄膜中的位错密度，提高了晶体质量。
一种多孔氮化复合衬底及其外延生长质量薄膜中的应用

[发明专利]氮化铝烧结颗粒的制造方法-CN201380072246.3有效
发明人：福永豊;金近幸博 -专利权人：德山株式会社
申请日： 2013-02-04 - 公布日： 2018-02-16 - 主分类号： C01B21/072 文献下载
摘要：本发明是提供简便地制造高导热性及对树脂等充填性优异、平均粒径10～200μm、可用于散热性的树脂或散热膏、接着剂、涂料等的散热材料用填充物的氮化铝烧结颗粒的方法。本发明的氮化铝烧结颗粒的制造方法，其包含一还原氮化步骤，在1400℃以上、1700℃以下的温度对多孔质氧化铝颗粒作还原氮化，成为多孔质氮化铝颗粒；以及一烧结步骤，在1580℃以上、1900℃以下对在上述还原氮化步骤取得的多孔质氮化铝颗粒作烧结
氮化烧结颗粒制造方法

[发明专利]多孔氮化铝陶瓷材料的制备方法-CN201510968230.1有效
发明人：何培刚;苑景坤;贾德昌;杨治华;段小明;王胜金;周玉 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2015-12-21 - 公布日： 2018-07-06 - 主分类号： C04B38/00 文献下载
摘要：多孔氮化铝陶瓷材料的制备方法，本发明涉及陶瓷材料的制备方法。本发明要解决现有多孔氮化铝陶瓷材料制备工艺复杂及成本高的问题。方法：一、制备活性铝硅酸盐原材料；二、制备球磨混合物；三、制备碱激发溶液；四、制备无机聚合物配合料；五、制备胚料；六、高温处理，即完成多孔氮化铝陶瓷材料的制备方法。本发明用于多孔氮化铝陶瓷材料的制备方法。
制备多孔氮化铝陶瓷材料陶瓷材料制备硅酸盐球磨混合物无机聚合物高温处理活性铝碱激发配合料胚料

[发明专利]制备氮化铝泡沫的方法-CN201880064415.1有效
发明人：南京珠;崔喜满 -专利权人：赛莫必乐公司
申请日： 2018-10-02 - 公布日： 2022-12-23 - 主分类号： C04B38/00 文献下载
摘要：多孔氮化铝(AlN)提供更大的表面积和更高的渗透性，这对于先进功能应用而言尤其理想。多孔或块状氮化铝非常难于制造，这主要是由于其高熔点(例如2200摄氏度)。一种新的加工方法是通过使用极低的氮化或烧结温度从多孔铝中完全转变来合成多孔氮化铝。制成的多孔氮化铝泡沫可用于诸如过滤器、隔离物(或隔膜)、散热器、防弹装甲、电子包装、光发射和场发射装置以及高度耐磨的复合材料(当被渗入金属例如铝、钛或铜时)等的应用。
制备氮化泡沫方法

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